硅通孔 (TSV) 铜工艺

MICROFAB DVF 200 酸性镀铜工艺填充硅通孔(TSV),在高电镀速度下无空隙和其他缺陷。 该工艺专门针对孔直径范围为 5 至 20μm ,深宽比小于 10 的孔而设计。

MICROFAB DVF 200 技终端应用在一些关键电子产品如 CMOS 图像传感器(例如数码相机),中介板,DRAM 和闪存记忆体。

强大的 MICROFAB DVF 200 工艺具有在线添加剂监测和控制功能,并提供卓越的性能:

  • 满足先进和新兴3D技术对尺寸缩小微型化的需求,兼具高性能和低成本。 使用打线封装的 3D 封装无法满足这些挑战。
  • 提供更好的导电性和导热性,甚至可以用于钨和多晶硅的工艺。 此外,铜电镀是半导体工业广泛接受的成熟工艺。
  • 在孔成型工艺中提供强大、无缺陷的填充性能和低拥有成本。 
  • 纪录制程  (POR)  已获业界领先的半导体制造商和电镀设备供应商的认可。

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