电镀铜工艺

MICROFAB CU 1000 工艺专为高速铜柱、铜重布线层（RDL）和铜凸块/ UBM 应用而设计。 它根据严格的半导体行业要求进行配制、包装和质量控制。

MICROFAB CU 1000 工艺具有 10 至 35 ASD的宽电流密度范围（约 2 至 7μm/min）。 最大可实现的电流密度取决于设备工具流动力学设计，光阻高度和晶圆图案密度和复杂性。

 

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MICROFAB CU 1000 工艺专为高速铜柱、铜重布线层（RDL）和铜凸块/ UBM 应用而设计。